RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
42
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
33
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2824
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link