RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
42
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
33
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
11.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
2824
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link