RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
62
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
62
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
1808
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link