RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
62
Около 32% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.0
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
62
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
16.7
Скорость записи, Гб/сек
6.0
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
1808
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link