RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2858
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX426C13/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link