RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
71
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2464
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link