RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
71
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
6400
5300
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
71
66
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
4,360.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
2,935.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
6400
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
728
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link