RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
71
Wokół strony -184% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2909
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link