RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
71
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3718
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 99U5403-065.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link