RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
71
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3412
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link