RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
71
94
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
94
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
1390
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link