RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
71
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
41
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2813
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link