RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
71
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2478
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link