RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
71
Wokół strony -137% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3119
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
INTENSO 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link