RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
71
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2832
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link