RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
71
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3313
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link