RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
71
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3488
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link