RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3535
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link