RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
71
Wokół strony -209% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
22.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
20.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
4421
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ?????? 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link