RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
71
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3742
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston 99U5471-047.A00LF 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link