RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
71
Wokół strony -173% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3937
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link