RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
71
Wokół strony -173% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2846
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link