RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
66
71
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
6400
5300
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR2
Задержка в PassMark, нс
71
66
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
4,360.5
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
2,935.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
6400
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
728
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB Сравнения RAM
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link