RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
71
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
64
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2065
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link