RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
71
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2332
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link