RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
71
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
38
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2107
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link