RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
71
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2312
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link