RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
71
Wokół strony -173% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2912
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link