RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
71
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2768
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905403-199.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link