RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
71
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
1763
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link