RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
71
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
56
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2200
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link