RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
71
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2824
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link