RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
71
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2327
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link