RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
71
Wokół strony -184% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
4046
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link