RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
71
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3198
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link