RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
94
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
5.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
4.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
94
Prędkość odczytu, GB/s
15.1
5.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
4.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2532
1334
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link