RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB против Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
94
Около 57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
5.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.3
4.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
94
Скорость чтения, Гб/сек
15.1
5.6
Скорость записи, Гб/сек
9.3
4.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2532
1334
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-559.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link