RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
76
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
76
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
1718
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link