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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
76
Por volta de 54% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
13.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
76
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
1718
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
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