RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2426
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link