RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
35
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
13.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2196
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Inmos + 256MB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link