RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
35
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
4152
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link