RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wynik ogólny
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
71
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
2,109.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
71
Prędkość odczytu, GB/s
4,162.7
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,109.3
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
784
1650
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link