RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB против Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Средняя оценка
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
60
71
Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.4
2,109.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
71
Скорость чтения, Гб/сек
4,162.7
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,109.3
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
784
1650
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB Сравнения RAM
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link