RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
39
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
24
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2322
2925
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Porównanie pamięci RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
UMAX Technology 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link