RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
24
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.2
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2322
2925
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Сравнения RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link