RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.1
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.1
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2307
2370
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link