RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
68
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
68
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
1792
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link