RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2605
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link