RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Porównaj
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
9.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2753
2443
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link